INFINEON IRF 4905 - MOSFET, P-Ch, -55V -74A 0,02R, TO-220AB

1.32 EUR*

Descripción

IRF4905PbF, MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de alojamiento del TO- 220 contribuyen a su amplia aceptación en todo el sector. Características: - Tecnología de proceso avanzada - Resistencia a la conexión extremadamente baja - Valoración dinámica dv/dt - Temperatura de funcionamiento de 175 °C - Cambio rápido - Canal P - Totalmente compatible con Avalanchas - Sin plomo