Transistor IRF530N

1.28 EUR*

Descrição

Este MOSFET de potência é um transistor N-MOSFET em encapsulamento TO-220AB com tecnologia HEXFET, adequado para comutação de energia em circuitos de potência. Oferece tensão dreno-fonte de 100V, corrente de dreno de 17A e potência de 79W, com resistência on-state de 90mOhm. A polarização é unipolar e o gate-source suporta ±20V, com carga de gate de 24.7nC. Compatível com montagem THT, oferece fiabilidade e desempenho estáveis para controlo de energia.